半导体学报 - oalib

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ISSN: 2333-9721
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半导体学报

ISSN Print: 1674-4926

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主页: http://www.oaj.cas.cn/cn/journal_home.aspx?my_jid=1674-4926&journal_name=半导体学报

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快速退火Mg∶GaN的光致发光研究

毛祥军,杨志坚,金泗轩,童玉珍,王晶晶,李非,张国义

背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响

刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余,詹琰

红外半导体材料HgMnTe的缺陷腐蚀

李宇杰,刘晓华,介万奇

Closed Analytical Solution of Breakdown Voltage for Planar Junction and Lateral Curvature Effect

He Jin,Wang Xin,Chen Xingbi

铕离子注入氧化硅膜光发射的研究

王亮,朱美芳,郑怀德,侯延冰,刘丰珍

ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用

茅冬生,谭满清

氧化锌半导体薄膜的发光光谱特性

傅竹西,林碧霞,郭常新,廖桂红

VLSI Design Debug Using Focused Ion Beam Technology

Chang,Xu

SiGe HBTs高频特性模拟分析

赵立新,沈光地

GaP(100)表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究

孙玉明,陆尔东,徐法强,徐世红,余小江,张发培,徐彭寿,张新夷

铁电PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3薄膜的磁增强反应离子刻蚀

刘秦,林殷茵,吴小清,张良莹,姚熹

硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究

叶志镇,黄靖云,卢焕明,姜小波,汪雷,赵炳辉,阙端麟

界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响

张兴宏,程知群,夏冠群,徐元森,杨玉芬,王占国

图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究

吴正龙,姚振钰,刘志凯,张建辉,秦复光,林兰英

MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究

孙一军,夏冠群,张良莹,姚熹

900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性

张进书,金晓军,贾宏勇,陈培毅,钱佩信,罗台秦,杨增敏,黄杰,梁春广

用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化

廖友贵,金鹏,李乙钢,张存洲,潘士宏,梁基本

基于Sakurai模型的时延驱动Steiner树算法

鲍海云,洪先龙,蔡懿慈,乔长阁

高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象

施卫,梁振宪

O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析

竺士炀,黄宜平,李爱珍,吴东平,王瑾,茹国平,包宗明

一种单锁存器CMOS静态D触发器的设计

莫凡,俞军,章倩苓

ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱

魏彦锋,黄大鸣,王兴军,俞根才,诸长生,王迅

高质量栅氧化层的制备及其辐照特性研究

张兴,王阳元

聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性

谢茂浓,傅鹤鉴

GSMBE原位生长SiGeHBT材料

黄大定,刘金平,李建平,林燕霞,刘学锋,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英

GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法

徐仲英,王建农,王玉琪,葛惟琨,李晴,李树深

δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移

程文超,夏建白,郑文硕,黄醒良,金载元,林三镐,瑞恩庆,李亨宰

SiC肖特基势垒二极管的研制

张玉明,张义门,罗晋生

温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转

李国华,朱作明,刘南竹,韩和相,汪兆平,王杰,王迅

电子束蒸镀Y_2O_3-ZrO_2减反射膜用于1.3μm半导体激光器

王浙辉,林理彬,卢铁城

包含自加热效应的BJT电路的直流及瞬态模拟

陈勇,杨谟华,朱德之

掺硅氮化镓材料的MOVPE生长及其性质研究

刘祥林,汪连山,陆大成,汪度,王晓晖,林兰英

Multi-Wavelength InGaAsP Lasers Grown by LP-MOCVD Selective Area Growth Technology

Xu Guoyang,Yan Xuejin,Zhu Hongliang,Zhou Fan,Duan Lihong,Tian Huiliang,Bai Yunxi,Wang Wei

VLSI3-维容错结构及其成品率分析

赵天绪,郝跃,许冬岗

CdF_2半导体中表面磁极化子的性质

肖景林,额尔敦朝鲁,张鹏

多晶硅薄膜应力特性研究

张国炳,郝一龙,田大宇,刘诗美,王铁松,武国英

LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析

唐本奇,罗晋生,耿斌,李国政

用改进的气相物理输运法制备高品位CdTe单晶

杨柏梁,石川幸雄,一色实

低压应用中的SOI栅控混合管的设计考虑

黄如,杨兵,王阳元

氮生长掺杂和离子注入掺杂CVD金刚石薄膜的场电子发射

邵乐喜,谢二庆,路永刚,贺德衍,陈光华

ZnSe多量子阱横向磁阻的无接触测量

王宗欣,褚幼令,胡古今,郑国珍

半导体折射率波导激光器谐振模式的自洽计算

孔军,张文俊,杨之廉

“Zero”DependenceofDepositionRateonDepositionTemperatureinPhotoChemicalVaporDeposition

Sun Jiancheng,Li Enke,Li Peixian,Wang Yuqing,Zhang Heming,Jiang Wenqing,Dai Xianying,Hu Huiyong

POET:一个自洽的半导体量子阱激光器的二维模拟器

孔军,张文俊,杨之廉

CdSe/CdZnSe多量子阱的激子复合性质的研究

张希清,徐征,侯延冰,王振家,王永生,徐叙溶,Z K Tang,汪河州,李伟良,赵福利,蔡志刚,周建英

适用于实时图像处理的阵列处理芯片BAP-128

张明,陈晓初,姚庆栋

混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究

俞容文,郑健生,颜炳章

含N薄栅介质的电离辐照及退火特性

张国强,陆妩,余学锋,郭旗,任迪远,严荣良

金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理

俞建华,孙承休,高中林,魏同立,王启明

硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响

高文钰,刘忠立,和致经,于芳,梁桂荣,李国花

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