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ISSN: 2333-9721
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半导体学报 1999

MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究

孙一军,夏冠群,张良莹,姚熹

Keywords: MOCVD,化合物半导体,重复性,半导体薄膜技术

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Abstract:

本文讨论了ＭＯＣＶＤ源物质Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性．首次实验发现了Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性问题．研究结果表明，热学性质的变化是Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性发生变化的根本原因．

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