快速退火Mg∶GaN的光致发光研究

本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ和４５０ｎｍ两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨，提出深Ｎ空位能级到Ｍｇ有关能级的跃迁机制的解释