红外半导体材料HgMnTe的缺陷腐蚀

窄禁带、含Ｈｇ的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大，蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发，研究了ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀工艺，探索出一种适合于ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀液．从实验结果来看，该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷，如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等，而且腐蚀质量高．以此为基础，我们还分析了ＡＣＲＴ和Ｂｒｉｄｇｍａｎ两种方法生长的ＨｇＭｎＴｅ晶体中缺陷的形貌特点及分布情况