LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析

本文提出了一种新型的内置ＦＲ／ＪＴＥ横向ＤＭＯＳ结构，并对其进行了耐压分析，结果表明，该结构具有与ＲＥＳＵＲＦ器件相媲美的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，相对于内场限环结构，其耐压高且导通电阻低，因而不失为一种较为实用的提高横向功率器件耐压的新途径