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ISSN: 2333-9721
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半导体学报 1999

背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响

刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余,詹琰

Keywords: MESFET,砷化镓,背栅效应,均匀性

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Abstract:

研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响．结果表明，背栅效应使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小，均匀性变差．

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