氧化锌半导体薄膜的发光光谱特性

用直流反应溅射方法在Ｓｉ（１００）基片上生长出具有六角晶型的ＺｎＯ薄膜．测量了样品的阴极射线发光特性及其与薄膜晶体结构的关系．在所有测量样品中均观察到较强的绿带（５２０ｎｍ）发射，随着薄膜单晶程度的提高，光谱中开始出现蓝带（～４５０ｎｍ），并在类单晶薄膜中看到了强度大于绿带的近紫外谱带（３９０ｎｍ）；它的强度随着阴极射线电子束流密度增加而迅速增加．根据ＺｎＯ中激子的结合能数据，推测紫带发射来源于ＺｎＯ的激子跃迁．实验结果说明，通过改进薄膜的结晶状况可进一步增强ＺｎＯ薄膜的短波长发光