CdSe/CdZnSe多量子阱的激子复合性质的研究
张希清,
徐征,
侯延冰,
王振家,
王永生,
徐叙溶,
Z K Tang,
汪河州,
李伟良,
赵福利,
蔡志刚,
周建英
Keywords: 多量子阱,Ⅱ－Ⅵ族,Ⅲ－Ⅴ族,半导体异质结,结构
Abstract:
采用ＭＢＥ制备了ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ多量子阱结构．Ｘ射线衍射谱的最高阶次是７，在７７Ｋ下ＰＬ光谱的线宽是４．２ｎｍ，表明我们的样品具有较高的质量．在变密度激发的ｐｓ时间分辨光谱中，随着激发密度的减小发光衰减时间减小，认为是由无辐射复合引起的．
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