用改进的气相物理输运法制备高品位CdTe单晶

以超高纯Ｔｅ和重复区熔法获得的超高纯Ｃｄ为原料，用改进的气相物理输运法制备了高质量的ＣｄＴｅ单晶．改进的ＰＶＴ有效地抑制了生长安瓶封装时产生的原料氧化和沾污，提高了生长速率和稳定性．利用电子回旋共振，光致发光等方法的测试结果表明，所获得的高品位ＣｄＴｅ单晶的中性施主杂质浓度仅为５e１４ｃｍ－３，４．２Ｋ下电子回旋迁移率高达２．５e５ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）．