硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究

我们利用自行研制的ＵＨＶ／ＣＶＤ技术在直径３英寸的硅衬底上生长了锗硅外延层，并进行了实时掺杂生长．采用Ｘ射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组分，利用扩展电阻仪对外延层电阻率进行了表征，研究了生长特性和材料特性．由此获得生长速率及组分与源气体流量的关系曲线，发现生长速度随Ｇｅ组分的增加而降低，以氢气为载气的Ｂ２Ｈ６对锗硅合金的生长速率有促进作用．