GSMBE原位生长SiGeHBT材料
Keywords: 双极性晶体管,GSMBE,SiGe,材料
Abstract:
采用ＧＳＭＢＥ工艺生长的单晶ＳｉＧｅＨＢＴ结构材料，经Ｘ射线双晶衍射，透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明：该材料晶体完整性好，无应力弛豫，界面平整陡峭．发射区Ｎ型掺杂浓度２e１９～１e２０ｃｍ－３，厚度１００～２００ｎｍ；基区ＳｉＧｅ合金Ｇｅ组分０．０５～０．２０，Ｐ型掺杂浓度５e１８ｃｍ－３，厚度４０～１００ｎｍ；集电极浓度～１e１６ｃｍ－３．达到了生长ＳｉＧｅＨＢＴ材料的条件．
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