铕离子注入氧化硅膜光发射的研究

采用铕离子注入热生长ＳｉＯ２薄膜的方法，获得掺杂剂量为１０１４ｃｍ－２及１０１５ｃｍ－２的ＳｉＯ２∶Ｅｕ３＋硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性．经１０００℃退火后观察到Ｅｕ３＋的红光发射．在１２００℃下氮气中退火观察到Ｅｕ２＋４５０ｎｍ的强光发射．讨论了Ｅｕ３＋向Ｅｕ２＋的转变