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半导体学报 1999
GaP(100)表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究Abstract: 利用同步辐射光电子能谱研究了CH3CSNH2钝化的GaP(100)表面和稀土金属Gd淀积到S-GaP(100)表面的界面形成,结果表明CH3CSNH2溶液对GaP(100)表面具有钝化作用,形成了Ga和P的硫化物钝化层,对钝化表面退火,P-S键逐渐消失,而仅仅留下了Ga-S键.Gd淀积到硫钝化退火的GaP表面,P的扩散被有效地阻止,而S仍保持在界面处,Gd与表面的元素态P和二聚体Ga反应,形成金属Ga向淀积的Gd金属层扩散,导致金属Ga在表面偏析.
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