半导体学报 - oalib

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ISSN: 2333-9721
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半导体学报

ISSN Print: 1674-4926

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主页: http://www.oaj.cas.cn/cn/journal_home.aspx?my_jid=1674-4926&journal_name=半导体学报

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F~＋＋B~＋双注入浅结研究

李金华,林成鲁,冒建军,何建军,邹世昌

多孔硅的氢化、氧化与光致发光

张丽珠,段家忯,林军,张伯蕊,毛晋昌,付济时,秦国刚,许振华

半导体激光器在微波场加热电子变温调制中的增益开关效应

郭长志,陈水莲

Si~＋注入InP材料的欧姆接触特性研究

沈鸿烈,徐宏来,周祖尧,林梓鑫,邹世昌

硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性

刘晓为,张国威,刘振茂,理峰

适于半导体器件模拟的改进Gummel算法

曹俊诚,郑茳,魏同立,樊继山

适用于宽温度范围和不同沟遭掺杂浓度的MOSFET反型层载流子迁移率模型

黄骁虎,阮刚

注入光敏三极管的基本特性和分析

何民才,黄启俊,陈炳若,龙理,陈畅生,戴锋,池桂梅

MOS结构低温负偏压温度不稳定性

陆德仁,朱德光

GaAs／AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究

王杏华,郑厚植,李承芳,刘剑,杨小平,余琦

Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜

刘平,李炳宗,孙臻,顾志光,黄维宁,周祖尧,倪如山

p~－型多孔硅的拉曼光谱与结构特征

王昕,何国山,张树霖,刁鹏,李经建,蔡生民

γ辐照的半绝缘GaAs：Cr的电子顺磁共振研究

傅济时,朱美栋,毛晋昌,吴恩,秦国刚,魏根栓,张钰华,王永鸿,马碧春

红外区熔再结晶SOI中形貌缺陷的产生与抑制

张鹏飞,侯东彦,杨景铭,钱佩信,罗台秦

Nb／C_（60）／p型Si结构的特性

陈开茅,金泗轩,贾勇强,吴克,李传义,顾镇南,周锡煌

TiSi_2　Polycide　LDD　MOS工艺研究

徐秋霞,龚义元,张建欣,扈焕章,汪锁发,李卫宁

键合Si／SiO_2／Si结构的C－V特征

黄庆安,陈军宁,张会珍,童勤义

纳米硅薄膜界面结构的微观特征

何宇亮,褚一鸣,王中怀,刘湘娜,白春礼

MBE生长高质量GaAs／AlGaAs量子阱激光器

杨国文,肖建伟,徐遵图,张敬明,徐俊英,郑婉华,曾一平,陈良惠

利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究

陈茂瑞,陈坤基,姜建功,施伟华

实现气敏元件灵敏度倍增的一种方法

吴兴惠,李艳峰,周桢来,田子华

利用电子束掺杂技术制备微米、亚微米P－MOSFET器件

李秀琼,海潮和,杨军

ICB方法生长CdTe单晶薄膜的研究

冯嘉猷,张芳伟,范玉殿,李恒德

Si／Si_（1－x）Ge_x应变层超晶格折叠声子能隙的精细测量

张鹏翔,D.J.Lockwoo,J.M.Baribeau,H.J.Labbe

氢等离子体对（Pt及其硅化物）／Si界面的杂质／缺陷态和势垒的影响

丁孙安,许振嘉

优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n~－／n~＋／p~＋

杨谟华,黎展荣

Si／SiO_2界面态的俘获截面及态密度的能量分布

陈开茅,毛晋昌,武兰青,元民华,金泗轩,刘鸿飞

稀土Er离子注入InP的退火及发光特性

章蓓,陈孔军,王舒民,丁晓民,虞丽生,郑婉华,徐俊英,李仪

气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP／AlInP多量子阱材料

袁瑞霞,阎春辉,国红熙,李晓兵,朱世荣,李灵肖,曾一平,孔梅影

低温分子束外延GaAs薄膜的研究

邓航军,范缇文,王占国,梁基本,朱战萍,李瑞钢

GaAs　MESFET大信号瞬态模拟

邓先灿,冯春阳,孙国恩,骆建军

MOCVD过程中回流现象的数值模拟

张佳文,高鸿楷,张济康,杨永

PECVDSi_3N_4钝化膜对GaAsMESFET直流特性的影响

宫俊

一个集成光波导器件计算机辅助分析系统及其应用

陈维友,刘式墉

砷化镓声电荷输运的二维互作用模型

邹英寅

GaAs／GaAlAs双异质结光波导开关内带隙的注入载流子感生变化

王德煌,王威礼,庄婉如,林雯华

SiGe／Si量子阱结构材料的激子发光谱

黄大鸣,杨敏,盛篪,卢学坤,龚大卫,张翔九,王迅

染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性

夏永伟,李国花,滕学公,樊志军

利用CBE技术在Si衬底上生长GaAs薄膜

邢益荣

GaAs／Al_0．33Ga_0．67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化

刘振先,李国华,韩和相,汪兆平

分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究

阎春辉,郑海群,范缇文,孔梅影,曾一平,黄运衡,朱世荣,孙殿照

GaAs／Al_（0．4）Ga_（0．6）As多量子阱红外探测器光吸收计算

范卫军,夏建白

用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质

钱毅,郑婉华,郑联喜,张霞,胡雄伟,陈良惠,王启明

薄栅SiO_2相关击穿电荷的研究

许铭真,谭长华,王阳元

一个基于人工神经网络的通孔最少化方法

沈涛,甘骏人,姚林声

BF_2~+注入硅分子效应的椭偏谱多层分析

朱文玉,李晓勤,林成鲁,陈树光,徐运海

含氮CZ硅力学行为研究

石志仪,谢书银,佘思明,李立本,张锦心

MOS器件1/f噪声的双态系统理论──隧道模型与热激发模型的比较

方志豪,朱秋萍,黄银彪,鄢和平

CdTe—ZnTe超晶格及其改进型结构一级声子喇曼散射分析

劳浦东,姚文华,李杰,袁诗鑫

卧式MOCVD反应器内涡旋分布数值模拟

金希卓,丛志先,刘明登

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