优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n~－／n~＋／p~＋

我们的实验研究结果表明，已经在ｎ~－／ｎ~＋／ｐ~＋材料的纵向电气与几何参数的最佳理论设计、关键的工艺生长技术和缺陷控制诸主要方面取得了进展，并因此制备了２－３”１００μｍ厚度的高阻异型镜面硅外延付，且将其成功应用于１３００Ｖ／２０Ａ高性能ＩＧＢＴ的研制．