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半导体学报 1994
TiSi_2 Polycide LDD MOS工艺研究Abstract: 本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，经优化后可控制Ｗ为０．３０～０．３２μｍ；在Ａｌ与Ｓｉ之间引入一层ＴｉＮ／Ｔｉ复合层作为Ａｌ－Ｓｉ间的扩散势垒层，获得了良好的热稳定性．上述工艺技术已成功地应用于０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＥ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，其平均缴延迟为３１０Ｐｓ（０．２９ｍＷ／级），工作电压
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