利用电子束掺杂技术制备微米、亚微米P－MOSFET器件

本文对辉光放电电子束在ＭＯＳＦＥＴ中的应用进行研究．结果表明，利用辉光放电电子束掺杂方法成功地实现了微米、亚微米Ｐ－ＭＯＳＰＥＴ．器件的漏流小，Ｉ－Ｖ特性好，源漏结浅、均匀和横向掺杂效应小．此方法与常规ＭＯＳ工艺兼容，所需的设备结构简单、操作方便，价格低廉，易于推广到ＶＬＳＩ中去．