适用于宽温度范围和不同沟遭掺杂浓度的MOSFET反型层载流子迁移率模型

本文基干决定载流子迁移率的晶格散射、电离杂质散射、表面粗糙散射等三种主要散射机制的考虑，提出了一个有较明确物理意义的精度和实用性兼顾的ＭＯＳＦＥＴ反型层中载流子迁移率半经验模型．模型适用的温度范围为５Ｋ～３７０Ｋ，沟道掺杂浓度范围为１e14ｃｍ－３－１e１８ｃｍ－３．模型的计算结果同实验数据符合很好．