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Keywords: 半导体材料,MOCVD,回流,数值模拟
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在金属有机物化学汽相淀积过程中,反应器中的回流现象严重影响生长层的界面陡峭性.本文从关于MOCVD的流体力学基本方程出发,用二维有限差分和流函数涡量法求解方程,取得了不同条件下气流场的流谱.计算结果表明,减小反应器坛强、增加运载气体流量等方法可以消除回流.本文所用的流函数-涡量法具有简单、明了,运算速度快等优点.
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