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等静压瓷套烧成窑后炸裂缺陷的原因分析
刘宏烈,沈骏
电瓷避雷器 , 2015, DOI: 10.16188/j.isa.1003-8337.2015.06.011
Abstract: 对等静压瓷套生产过程中炸裂缺陷进行了分析,同时与其他显性缺陷进行关联性对比,指出了引起等静压瓷套炸裂缺陷的原因为粉料水分、内应力、坯料性能,通过喷雾水分的控制、烧成工艺的优化以及原料配方的调整,解决了该缺陷。
瓷套绝缘子等静压成型过程产生的质量缺陷及质量控制方法
陆普强
电瓷避雷器 , 2014,
Abstract: 阐述了瓷套绝缘子在等静压成型过程引起的主要质量缺陷,讨论了质量缺陷产生的原因。根据质量原因分析对各影响因素进行了相应的质量控制措施。通过对成型过程中质量缺陷的质量控制,使质量缺陷不合格品明显下降,提高了瓷检合格率,取得了良好的效果。
药柱等静压实验和数值模拟计算
陈朗,鲁建英,张明,韩超,冯长根
高压物理学报 , 2008, DOI: 10.11858/gywlxb.2008.02.001
Abstract: 进行了炸药柱等静压实验,用热电偶测量了药柱压制成型过程中的内部温度,建立了药柱在等静压下的热力耦合模型。对炸药柱保压阶段进行了数值模拟计算,得到等静压条件下药柱内部压力和温度变化,分析了药柱形变,压力和温度分布。结果表明:在等静压下药柱各表面均有明显的向里凹陷的现象,在受力过程中炸药内部温度升高,并存在温差,内部压力分布不均匀。
楔形与等截面静压桩沉桩贯入阻力对比研究
杨庆光,刘杰,何杰,罗善煌
岩石工程学报 , 2013,
Abstract: 基于vesic圆孔扩张理论,考虑贯入深度对扩孔压力的影响,得到了一种扩孔压力的迭代算法;在此基础上,分析了楔形与等截面静压桩沉桩贯入阻力的差异性,并考虑极限滑动摩阻力的影响,建立了两种桩型的静压沉桩贯入阻力计算公式。为了验证该方法的可行性,对楔形与等截面桩进行模型对比试验,并利用该方法对模型试验进行计算分析,试验及理论结果均表明,等截面桩沉桩贯入阻力在贯入初期上升较快,后期上升缓慢,而楔形桩整个沉桩过程贯入阻力始终保持稳步增长。同时,等截面桩最终沉桩贯入阻力要比平均截面半径相等的楔形桩贯入阻力小得多,说明在相同贯入阻力前提下,采用楔形桩将能大幅度减少桩身材料,降低成本。
瓷套绝缘子湿法生产干燥过程中开裂缺陷的控制
庞瑾
电瓷避雷器 , 2014,
Abstract: 对瓷套绝缘子湿法生产干燥过程出现的开裂缺陷进行了统计,对正常生产情况下该缺陷产生的原因进行了分析,得出坯料性能波动、新旧料混合比例精确度不高、修坯过程毛坯水分不均匀是造成开裂的主要因素,针对这些因素采取了相应的措施,使干燥过程中开裂缺陷不合格率由原来的每月2.29%减少到了现在的每月0.49%。
避雷器用瓷套冷冻试验研究
汪婷,史晓琪,吕伟
电瓷避雷器 , 2012,
Abstract: 通过冷冻试验研究避雷器瓷套在低温冷冻条件下及室温条件下的机械性能。得出以下结果:低温冷冻条件下,瓷套弯曲破坏值为22.08kN;冷冻后放置常温条件下,瓷套弯曲破坏值为20.31kN,可以看出冷冻试验对瓷套机械性能影响较小。
粉末冶金/热等静压(PMHIP)零件的生产工艺与设计准则 The PM HIP parts process and design guidelines
韩凤麟
- , 2016,
Abstract: 热等静压(HIP)经过几十年发展,现已成为一种用各种金属和/或陶瓷制造形状复杂的、高性能零件的,竞争性制造技术。这些零件现已用于许多对环境要求高的产业部门,例如:航空航天、近海油与气田、能源及医疗等。这篇评述主要讲述关于在金属包套中压制金属粉末的HIP工艺过程,即所谓的PM HIP零件的生产工艺、设计准则及其应用。
大型粉末冶金/热等静压(PM HIP)产品:一个增长有望的产业 Hot lsostatic Pressing(HIP) of large PM products: An industry poised for growth
Stephen J Mashl
- , 2015,
Abstract: 用热等静压能生产出用任何其他工艺无法生产的大型粉末冶金产品,大型的HIP(热等静压)装置能制造非常大的零件。大型粉末冶金/热等静压产品(以下简称PM HIP)装置为产业带来了新的机会。ZMet Inc的Dr Stephen J Mashl在为Powder Metallurgy Review撰写的这篇独家报告中,概述了HIP装置的发展,并估计了大型粉末冶金产品的生产潜力。
±1100kV/16kN支柱瓷绝缘子应力分析与选取
杨海,杨明,宫云霞,张永翠,王菁,马成良,王源
电瓷避雷器 , 2015, DOI: 10.16188/j.isa.1003-8337.2015.01.010
Abstract: 为确保±1100kV/16kN支柱瓷绝缘子抗弯性能满足要求,通过对样品的三节、四节、五节、六节进行整柱弯曲破坏负荷试验,摸索出多节产品在承受整柱破坏负荷时的应力变化。初步确定,在多节产品的设计过程中,等应力设计具有一定的不合理性。对±1100kV/16kN支柱瓷绝缘子的各节应力选取时,要有不小于10%的应力叠装系数。试验证明:选用此种应力分布设计的产品,满足整柱的抗弯性能要求,可以满足±1100kV特高压工程的需要。
热等静压处理对U/Al镀层界面特性的影响
谢东华,张鹏程,张羽廷,王庆富,刘婷婷
腐蚀科学与防护技术 , 2009,
Abstract: 采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线结构衍射仪(XRD)及拉伸实验等方法,研究了铀(U)上磁控溅射Al镀层在480℃,2小时,60MPa条件下热等静压(HIP)处理对界面特性以及膜基结合强度的影响.结果表明经HIP处理后,镀层密度达到了其理论密度;镀层由柱状晶转变为致密的层状结构,在界面处Al、U元素形成了互扩散,并生成了金属间化合物UAl2和UAl3;膜基结合形成了冶金结合,结合强度有所增强.
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