一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计

在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计，该电路基于0.5 μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制，采用特殊的线路结构，并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固，抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时，该电路工作电压可达40 V，兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入，输出峰值电流1.5 A，可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位