%0 Journal Article
%T 一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计
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%D 2016
%R 10.11805/TKYDA201606.0972
%X 在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计，该电路基于0.5 μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制，采用特殊的线路结构，并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固，抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时，该电路工作电压可达40 V，兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入，输出峰值电流1.5 A，可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位
%K 抗辐射加固 金属氧化物半导体场效应管驱动器 高压集成电路(IC) 双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体工艺
%U http://www.iaeej.com/xxydzgc/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20160629&flag=1