磁控溅射制备非晶铟镓锌氧化物薄膜的电学性能研究

采用中频交流磁控溅射法制备非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜, 用XRD、XRF、Hall测试等手段进行表征, 研究了溅射电流、氧气流量等工艺参数对其电学性能的影响。结果表明, 制备出的IGZO薄膜均为非晶结构, 成分与靶材基本一致, 电学性能对溅射电流不敏感, 而氧气流量的改变可显著影响薄膜的载流子浓度和Hall迁移率。随着氧气流量的增加, 薄膜的载流子浓度先增加后减小, 而Hall迁移率随着载流子浓度的提高而增加。透过率随着氧气流量的增大先提高然后稳定在90%以上