%0 Journal Article
%T 磁控溅射制备非晶铟镓锌氧化物薄膜的电学性能研究
%J 材料研究学报
%D 2015
%R 10.11901/1005.3093.2014.333
%X 采用中频交流磁控溅射法制备非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜, 用XRD、XRF、Hall测试等手段进行表征, 研究了溅射电流、氧气流量等工艺参数对其电学性能的影响。结果表明, 制备出的IGZO薄膜均为非晶结构, 成分与靶材基本一致, 电学性能对溅射电流不敏感, 而氧气流量的改变可显著影响薄膜的载流子浓度和Hall迁移率。随着氧气流量的增加, 薄膜的载流子浓度先增加后减小, 而Hall迁移率随着载流子浓度的提高而增加。透过率随着氧气流量的增大先提高然后稳定在90%以上
%K 无机非金属材料
%K IGZO薄膜
%K 非晶态半导体
%K 磁控溅射
%K 迁移率
%U http://www.cjmr.org/CN/10.11901/1005.3093.2014.333