光刻技术与电化学相结合的叉指微电极制备工艺研究

将光刻技术与电化学技术相结合,以AM175型光敏胶为光刻材料,以氧化铟锡(ITO)导电玻璃为基底,摸索与控制实验条件,优化光刻过程的工艺实验参数,实现了共平面的20~200μm的叉指微电极制备.优化的关键工艺参数为365nm的紫外光曝光时间2s,超声清洗7s,碱液Na？？2CO？？3浓度为1.5%.以6mol/L HCl溶液为腐蚀液,-2.5V的恒电位法腐蚀裸露ITO 40s.采用原子力显微镜(AFM)测定微电极的导电层厚度约为160nm,表面粗糙度？？~2.5nm.？？该制备方法操作简单快速、腐蚀效果好、侧蚀程度小等优点