β-Ga2O3掺Al的电子结构与能带特性研究

采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3 (x=0,0.5,1,1.5，2)合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究.结果显示, AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料，能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定，其弯曲系数分别为0.452 eV(直接）和0.373 eV(间接). 当增大Al的掺杂量，AlxGa2-xO3的体积变小，总能量升高，能隙逐渐增大，这与实验结果相一致