%0 Journal Article
%T β-Ga2O3掺Al的电子结构与能带特性研究
%A 皮辉
%A 范广涵
%A 郑树文
%J 功能材料
%D 2014
%X 采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3 (x=0,0.5,1,1.5，2)合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究.结果显示, AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料，能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定，其弯曲系数分别为0.452 eV(直接）和0.373 eV(间接). 当增大Al的掺杂量，AlxGa2-xO3的体积变小，总能量升高，能隙逐渐增大，这与实验结果相一致
%K 第一性原理
%K β-Ga2O3
%K Al掺杂
%K 电子结构
%K 能带特性
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract13923.shtml