氧压对脉冲激光沉积LaNiO3薄膜结构和电学性能的影响

通过改变氧分压，利用脉冲激光沉积方法在Si（100）衬底上制备了系列LaNiO3导电氧化物薄膜；经XRD测试研究发现，通过调控氧压，可获得具有高（l00）取向薄膜，且氧压对薄膜结晶性有很大影响，在氧分压为7.5Pa时获得结晶性最好的薄膜。 经XRF分析表明，La、Ni元素化学成分计量比随氧压增大而减小。经四探针法测试，薄膜电阻率最小为2.03ⅹ10-4Ω?cm，表现出了良好的金属导电性。经SEM和AFM分析表明，薄膜晶粒为柱状晶，排列均匀致密，薄膜表面均匀，粗糙度较小，表明LaNiO3薄膜可以用作一种良好的铁电薄膜底电极材料