%0 Journal Article
%T 氧压对脉冲激光沉积LaNiO3薄膜结构和电学性能的影响
%A 严辉
%A 张铭
%A 李廷先
%A 王光明
%A 郭宏瑞
%J 功能材料
%D 2011
%X 通过改变氧分压，利用脉冲激光沉积方法在Si（100）衬底上制备了系列LaNiO3导电氧化物薄膜；经XRD测试研究发现，通过调控氧压，可获得具有高（l00）取向薄膜，且氧压对薄膜结晶性有很大影响，在氧分压为7.5Pa时获得结晶性最好的薄膜。 经XRF分析表明，La、Ni元素化学成分计量比随氧压增大而减小。经四探针法测试，薄膜电阻率最小为2.03ⅹ10-4Ω?cm，表现出了良好的金属导电性。经SEM和AFM分析表明，薄膜晶粒为柱状晶，排列均匀致密，薄膜表面均匀，粗糙度较小，表明LaNiO3薄膜可以用作一种良好的铁电薄膜底电极材料
%K LaNiO3薄膜
%K 氧压
%K 脉冲激光沉积
%K Si衬底
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract12629.shtml