水平温梯冷凝法生长ZnGeP2单晶

采用高纯(6N) Ge、Zn、P单质为原料，按化学计量比并富P0.2%配料，通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料，再用水平温梯冷凝法（HGF）生长出尺寸达10×20×80mm3的单晶棒。对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试，测试结果表明：单晶完整性好，红外透过率较高；5mm厚晶片（未退火、镀膜）在2～8μm范围内平均透过率可达54%以上；在室温附近（297.34K）热导率为35.89W/mK