%0 Journal Article
%T 水平温梯冷凝法生长ZnGeP2单晶
%A 倪友保
%A 吴海信
%A 毛明生
%A 王振友
%A 陈林
%A 黄飞
%J 功能材料
%D 2010
%X 采用高纯(6N) Ge、Zn、P单质为原料，按化学计量比并富P0.2%配料，通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料，再用水平温梯冷凝法（HGF）生长出尺寸达10×20×80mm3的单晶棒。对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试，测试结果表明：单晶完整性好，红外透过率较高；5mm厚晶片（未退火、镀膜）在2～8μm范围内平均透过率可达54%以上；在室温附近（297.34K）热导率为35.89W/mK
%K 磷锗锌
%K 水平温梯冷凝法
%K X射线粉末衍射
%K 红外透过率
%K 热导率
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract12057.shtml