溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响

摘要：利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品，并利用AFM、Raman和XRF对这些Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变，高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联；分析讨论Ge岛在不同溅射气压下的生长过程，在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征