%0 Journal Article
%T 溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响
%A 叶小松
%J 功能材料
%D 2012
%X 摘要：利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品，并利用AFM、Raman和XRF对这些Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变，高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联；分析讨论Ge岛在不同溅射气压下的生长过程，在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征
%K 磁控溅射
%K Ge/Si纳米点
%K 表面形貌
%K 热化
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract9676.shtml