Si 衬底上RF磁控溅射MgO薄膜的研究

本文采用射频磁控溅射(rf magnetron sputtering)在Si(100)衬底上生长得到MgO薄膜。将在不同气压和Ar分压条件下得到的样品在氧气氛围下1000oC退火并进行X射线衍射(XRD)分析，结果表明溅射总气压和O2分压影响MgO薄膜的择优取向，控制总气压和Ar分压可以控制MgO薄膜的晶格取向，Si衬底取向也对薄膜的择优取向产生影响。通过扫描电子显微镜(SEM)分析发现，MgO薄膜经过高温退火形成结晶并产生了表面裂纹