用PECVD制备高抗腐蚀性能SiNx薄膜的工艺研究

本文研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的等离子增强化学气相淀积（PECVD）氮化硅薄膜的生长工艺。文中通过X射线光电子能谱（XPS）、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的变化。制备出的氮化硅薄膜可在高温强碱溶液（70℃、33.3% KOH溶液）中支撑12小时而无明显变化，并实现自支撑全镂空薄膜