液相法在Si基底上沉积非晶碳膜

液相法以成本低、制备工艺简单等特点成为制备非晶碳膜的热点。然而适合工业化生产的制备工艺参数尚不明确。以Si单晶为基底,通过液相沉积法在Si表面制备非晶碳膜,并研究了沉积电压与其摩擦学性能之间的关系。研究结果表明,在1 800 V下所制备的非晶碳膜表面光滑平整、硬度最高。此时非晶碳膜的干摩擦系数最小,耐磨性最强,具有良好的摩擦学性能