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ISSN: 2333-9721
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-  2018 

SnO2-Zn2SnO4与SrTiO3压敏-电容双功能陶瓷电学性能对比研究

DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.04.017

Keywords: 压敏电阻,介电性质,电子陶瓷,电容,晶界势垒

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Abstract:

通过传统陶瓷制备工艺制备了SnO2-Zn2SnO4陶瓷复合物,与某型号商用SrTiO3压敏-电容双功能陶瓷对比了电学性能。结果显示,尽管二者的压敏电压均低于10 V/mm,但SnO2-Zn2SnO4陶瓷具有较为优越的电学非线性性质,其非线性系数达到7.6,漏电流仅为56 μA/cm2。40 Hz时,SnO2-Zn2SnO4陶瓷的相对介电常数为2×104,低于SrTiO3的9×104,同时,SnO2-Zn2SnO4陶瓷的介电损耗要高于SrTiO3,且随着频率的升高急剧降低。通过对比研究,SnO2-Zn2SnO4陶瓷具有潜在的应用价值

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