%0 Journal Article
%T SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>与SrTiO<sub>3</sub>压敏-电容双功能陶瓷电学性能对比研究
%A 李立本
%A 王丹丹
%A 王晓飞
%A 臧国忠
%J 功能材料
%D 2018
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.04.017
%X 通过传统陶瓷制备工艺制备了SnO2-Zn2SnO4陶瓷复合物,与某型号商用SrTiO3压敏-电容双功能陶瓷对比了电学性能。结果显示,尽管二者的压敏电压均低于10 V/mm,但SnO2-Zn2SnO4陶瓷具有较为优越的电学非线性性质,其非线性系数达到7.6,漏电流仅为56 μA/cm2。40 Hz时,SnO2-Zn2SnO4陶瓷的相对介电常数为2×104,低于SrTiO3的9×104,同时,SnO2-Zn2SnO4陶瓷的介电损耗要高于SrTiO3,且随着频率的升高急剧降低。通过对比研究,SnO2-Zn2SnO4陶瓷具有潜在的应用价值
%K 压敏电阻
%K 介电性质
%K 电子陶瓷
%K 电容
%K 晶界势垒
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract16960.shtml