三维花型SnS₂单相纳米结构负极材料的制备及性能研究

以氯化亚锡(SnCl2·2H2O)、硫代乙酰胺(TAA)和无水乙醇为原料,利用一步溶剂热合成了三维花型多级SnS2纳米结构。XRD、SEM和TEM分析结果表明,所合成的SnS2花型多级纳米结构为六方单相SnS2,该结构为花瓣状纳米片自组装而成,其厚度约为20～30 nm,花型结构直径约为8 μm,SnS2的｛100｝晶面的晶面间距为0.31 nm;并初步讨论了三维花型多级SnS2纳米结构的形成机制;而电化学性能测试表明表面改性后的样品在0.01～1.2 V电压范围及0.15 C倍率下,首次放电比容量可达1 598 mAh/g,首次可逆比容量为656 mAh/g,循环50次后,可逆比容量为572 mAh/g,容量保持率可达87.2%