%0 Journal Article %T 三维花型SnS2单相纳米结构负极材料的制备及性能研究 %A 张娟 %A 张鹏林 %A 彭熙 %A 李玉胜 %A 陈秀娟 %J 功能材料 %D 2017 %R 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.11.037 %X 以氯化亚锡(SnCl2·2H2O)、硫代乙酰胺(TAA)和无水乙醇为原料,利用一步溶剂热合成了三维花型多级SnS2纳米结构。XRD、SEM和TEM分析结果表明,所合成的SnS2花型多级纳米结构为六方单相SnS2,该结构为花瓣状纳米片自组装而成,其厚度约为20~30 nm,花型结构直径约为8 μm,SnS2的{100}晶面的晶面间距为0.31 nm;并初步讨论了三维花型多级SnS2纳米结构的形成机制;而电化学性能测试表明表面改性后的样品在0.01~1.2 V电压范围及0.15 C倍率下,首次放电比容量可达1 598 mAh/g,首次可逆比容量为656 mAh/g,循环50次后,可逆比容量为572 mAh/g,容量保持率可达87.2% %K 溶剂热法 %K 花型多级纳米SnS2 %K 形成机理 %K 电化学性能 %U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17638.shtml