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- 2017
两种g-C3N4的异质结的第一性原理计算DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.09.018 Abstract: 运用第一性原理方法计算了两种新型的g-C3N4的异质结g-C3N4/TiO2和g-C3N4/MoS2,其带隙分别为1.281和0.344 eV,两者的带隙相比单层g-C3N4有所减小。两者的VBM主要由N2p电子构成,CBM主要由Ti或Mo3d电子构成,并且两者的HOMO和LUMO都出现了层分离,使得电子空穴复合速度下降,提高了光催化效率
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