%0 Journal Article
%T 两种g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>的异质结的第一性原理计算
%A 卢运祥
%A 朱玉俊
%A 赵宇培
%J 功能材料
%D 2017
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.09.018
%X 运用第一性原理方法计算了两种新型的g-C3N4的异质结g-C3N4/TiO2和g-C3N4/MoS2,其带隙分别为1.281和0.344 eV,两者的带隙相比单层g-C3N4有所减小。两者的VBM主要由N2p电子构成,CBM主要由Ti或Mo3d电子构成,并且两者的HOMO和LUMO都出现了层分离,使得电子空穴复合速度下降,提高了光催化效率
%K g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>
%K 异质结
%K 第一性原理
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17541.shtml