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ISSN: 2333-9721
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-  2010 

MTS/H2体系CVD SiC的气相分析

Keywords: GC/MS,气相分析,CVD SiC,MTS/H2

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Abstract:

摘要: 采用CG/MS定性定量分析了MTS/H2体系CVD SiC的气相组成, 考察了沉积温度、总压和流量对气相组成的影响, 从反应速率和分子浓度大小的角度出发, 分析了MTS在H2中的分解步骤. 主要结论如下: (1) 检测到CH4、C2H6、C2H4、C3H6、C2H2、MTS、SiCl4和CH3SiHCl2物质, 其中CH4和SiCl4的含量较高. (2) 体系温度、总压和总流量对气相组成有显著影响, 其影响规律与热力分析结果一致. (3) MTS主要以Si-C键断裂引发分解反应, 经历与原反应气反应、中间物质和副产物生成等主要阶段, CH3?C2H6?C2H4?C2H2是生成烷烃化合物的主要路径.

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