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ISSN: 2333-9721
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-  2008 

超快大功率SiC光导开关的研究

Keywords: 碳化硅,钒掺杂,半绝缘,光导开关

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Abstract:

摘要: 选用钒掺杂浓度为0.2at%的高质量6H-SiC晶体, 电阻率为7.0×108Ω·cm, 研制出超快大功率SiC光导开关. 在脉冲宽度为20ns的光源激发下, 分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性. 结果表明: 1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越, 耐偏压高, 光导电脉冲的上升时间快(6.8ns), 脉宽<20ns, 稳定性好. 负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大, 在2.5kV的偏置电压, 最大瞬时电流约为57.5A, 瞬时功率高达132kW.

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