%0 Journal Article
%T 超快大功率SiC光导开关的研究
%A 施尔畏
%A 李祥彪
%A 肖兵
%A 陈之战
%A 严成锋
%J 无机材料学报
%D 2008
%X 摘要： 选用钒掺杂浓度为0.2at％的高质量6H-SiC晶体, 电阻率为7.0×108Ω·cm, 研制出超快大功率SiC光导开关. 在脉冲宽度为20ns的光源激发下, 分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性. 结果表明: 1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越, 耐偏压高, 光导电脉冲的上升时间快(6.8ns), 脉宽<20ns, 稳定性好. 负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大, 在2.5kV的偏置电压, 最大瞬时电流约为57.5A, 瞬时功率高达132kW.
%K 碳化硅
%K 钒掺杂
%K 半绝缘
%K 光导开关
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2008.00425