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ISSN: 2333-9721
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-  2007 

沉积温度对CVD SiC涂层显微结构的影响

Keywords: 化学气相沉积,SiC,温度,涂层,显微结构

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摘要: 以MTS为先驱体原料, 在950~1300℃、负压条件下沉积了CVD SiC涂层. 利用SEM对涂 层的表面形貌和断口特征进行了表征. 沉积温度和SiC涂层表面形貌的关系如下: 950℃时, 沉积的SiC颗粒非常细小, 为独立的球形堆积; 1000~1100℃时, CVD SiC涂层表面光滑、致密; 1150~1300℃沉积的SiC涂层呈现出球状或瘤状结构且表面粗糙. 结合热力学和晶体形核-长大理论, 研究了沉积温度对SiC涂层表面形貌的作用机制. 沉积温度和SiC涂层断口形貌的关系如下: 1200℃以下沉积的SiC涂层断面致密、无孔洞; 而1300℃沉积的SiC涂层断面非常疏松. 利用岛状生长模型揭示了SiC涂层内部显微结构的形成机理.

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