%0 Journal Article
%T 沉积温度对CVD SiC涂层显微结构的影响
%A 刘荣军
%A 曹英斌
%A 张长瑞
%J 无机材料学报
%D 2007
%X 摘要： 以MTS为先驱体原料, 在950～1300℃、负压条件下沉积了CVD SiC涂层. 利用SEM对涂 层的表面形貌和断口特征进行了表征. 沉积温度和SiC涂层表面形貌的关系如下: 950℃时, 沉积的SiC颗粒非常细小, 为独立的球形堆积; 1000～1100℃时, CVD SiC涂层表面光滑、致密; 1150～1300℃沉积的SiC涂层呈现出球状或瘤状结构且表面粗糙. 结合热力学和晶体形核-长大理论, 研究了沉积温度对SiC涂层表面形貌的作用机制. 沉积温度和SiC涂层断口形貌的关系如下: 1200℃以下沉积的SiC涂层断面致密、无孔洞; 而1300℃沉积的SiC涂层断面非常疏松. 利用岛状生长模型揭示了SiC涂层内部显微结构的形成机理.
%K 化学气相沉积
%K SiC
%K 温度
%K 涂层
%K 显微结构
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2007.00153