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ISSN: 2333-9721
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-  2017 

NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷的高介电性质及相关机制的研究

Keywords: NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12,高介电性质,CuO第二相,元素变价,内阻挡层电容效应

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摘要: 在不同烧结温度下, 利用传统的固相反应工艺制备了一系列NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷, 系统测试了它们的晶体结构、微观结构、介电性质和复阻抗谱。结果显示, 所有的NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷的主相都呈现类钙钛矿结构, 介电性质随烧结温度变化很大。高于1020℃烧结的陶瓷的室温相对介电常数大于3000, 具有高介电性质。复阻抗谱显示, NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷的电学分布不均匀, 由绝缘性的晶界和半导性的晶界组成。通过XRD和XPS测试发现, 在陶瓷中观察到了CuO第二相和Cu、Ti、Sb、Ta离子的变价。因此, 利用内阻挡层电容效应可以解释NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷的高介电性质。

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