%0 Journal Article
%T NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷的高介电性质及相关机制的研究
%A 孙礼
%A 张雍家
%A 徐攀攀
%A 曹恩思
%A 王明文
%A 郝文涛
%A 杨帅
%J 无机材料学报
%D 2017
%X 摘要： 在不同烧结温度下, 利用传统的固相反应工艺制备了一系列NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷, 系统测试了它们的晶体结构、微观结构、介电性质和复阻抗谱。结果显示, 所有的NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷的主相都呈现类钙钛矿结构, 介电性质随烧结温度变化很大。高于1020℃烧结的陶瓷的室温相对介电常数大于3000, 具有高介电性质。复阻抗谱显示, NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷的电学分布不均匀, 由绝缘性的晶界和半导性的晶界组成。通过XRD和XPS测试发现, 在陶瓷中观察到了CuO第二相和Cu、Ti、Sb、Ta离子的变价。因此, 利用内阻挡层电容效应可以解释NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12陶瓷的高介电性质。
%K NaCu<sub>3</sub>Ti<sub>3</sub>Sb<sub>0.5</sub>Ta<sub>0.5</sub>O<sub>12</sub>
%K 高介电性质
%K CuO第二相
%K 元素变价
%K 内阻挡层电容效应
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20160702