全部 标题 作者
关键词 摘要

OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用:99美元

查看量下载量

相关文章

更多...
-  1999 

SiC单晶的性质、生长及应用

Keywords: 碳化硅,单晶,生长,物理性质,半导体器件

Full-Text   Cite this paper   Add to My Lib

Abstract:

摘要: 本文综述了 Si C 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Si C 单晶的 P V T 法制备和该过程中的关键要素, 分析了 P V T 法制备的 Si C单晶中所存在的缺陷及其成因

Full-Text

Contact Us

service@oalib.com

QQ:3279437679

WhatsApp +8615387084133